پژوهشگران دانشگاه تهران، راهکاری برای ساخت هارددیسک‌ها و سخت‌افزارهای ذخیره اطلاعات با خواص مغناطیسی مطلوب ارائه کردند
سامان سالمی‌زاده که از جمله این پژوهشگران است گفت: از لایه‌های نازک مغناطیسی، می‌توان برای ذخیره اطلاعات، جذب امواج میکروویو و سنسور ابزارهای نانومتری استفاده کرد. از این میان، لایه نازک هگزافریت باریم با فرمول شیمیایی
BaFe12O19 است که یک ماده مغناطیسی سخت بوده و مهمترین کاربرد آن در لایه‌های نازک به عنوان محیط ذخیره اطلاعات با دانسیته ذخیره اطلاعات بالاست
سالمی‌زاده و همکارانش موفق به تهیه لایه‌های نازک مغناطیسی هگزافریت باریم نانوساختار به روش سل ژل، با خواص مغناطیسی مناسب برای پوشش‌دهی زیرلایه‌ها شده‌اند
در این پژوهش، میزان pH سل، نوع حلال و عامل بازی سل، نسبت مولی Fe/Ba سل، دمای کلسیناسیون لایه نازک و اثر لایه میانی Al2O3 به عنوان پارامترهای موثر در به دست آمدن لایه نازک هگزافریت باریم نانوساختار و تک‌فاز بررسی شده است. همچنین برای بهبود خواص مغناطیسی لایه نازک در جهت عمود بر سطح، از لایه میانی Al2O3 استفاده شده است
لایه نازک نانوساختار و تک‌فاز هگزافریت باریم تولیدی دارای ضخامت 152 نانومتر و اندازه دانه حدود 20 نانومتر است و خواص مغناطیسی بهتری در مقایسه با سایر تحقیقات مشابه داشته که این برتری به دلیل ساختار نانومتری این ماده است
نتایج این کار می‌تواند در تولید سخت‌افزارهای ذخیره اطلاعات (مانند هارد دیسک) با خواص مغناطیسی مطلوب‌تر استفاده شود
جزئیات این پژوهش که با همکاری سیدعلی سیدابراهیمی انجام شده، در مجله Journal of Non-Crystalline Solids ( جلد 355، صفحات985–982، سال 2009) منتشر شده است
موضوع مطلب : 
